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NCV57080CDR2G

隔离式大电流IGBT/MOSFET栅极驱动器

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描述: NCx57080y、NCx57081y 是高电流单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，具备 3.75 kVrms 的内部电流隔离，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。这些器件接受互补输入，并根据引脚配置，为系统设计提供便利选项，如有源米勒钳位（A 版本）、负电源（B 版本）以及独立的高低（OUTH 和 OUTL）驱动器输出（C 版本）。该驱动器可适应 3.3 V 至 20 V 的宽范围输入偏置电压和信号电平，采用窄体 SOIC - 8 封装。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NCV57080CDR2G
商品编号: C904654
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.55克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	隔离式栅极驱动器
	隔离电压(Vrms)	3750
	负载类型	IGBT；MOSFET
	通道数	1
	输入侧工作电压	3.3V~20V
	拉电流(IOH)	6.5A
	灌电流(IOL)	6.5A
	工作温度	-40℃~+125℃@(Ta)

商品概述

NCx57080y、NCx57081y 是高电流单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，具备 3.75 kVrms 的内部电流隔离，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。这些器件接受互补输入，并根据引脚配置，为系统设计提供便利选项，如有源米勒钳位（A 版本）、负电源（B 版本）以及独立的高低（OUTH 和 OUTL）驱动器输出（C 版本）。该驱动器可适应 3.3 V 至 20 V 的宽范围输入偏置电压和信号电平，采用窄体 SOIC - 8 封装。

商品特性

高峰值输出电流（+6.5 A / -6.5 A）
低钳位电压降，无需负电源即可防止栅极误开启（A 版本）
短传播延迟且匹配精确
短路时对 IGBT/MOSFET 栅极进行钳位
IGBT/MOSFET 栅极有源下拉
严格的欠压锁定（UVLO）阈值，实现偏置灵活性
宽偏置电压范围，包括负 VEE2（B 版本）
3.3 V、5 V 和 15 V 逻辑输入
3.75 kVRMS 隔离电压（I - O）（符合 UL1577 要求）
安全和法规认证：UL1577 认证，3750 VACRMS 持续 1 分钟；DIN VDE V 0884 - 11 认证待通过，870 VPK 工作绝缘电压
高瞬态抗扰度
高电磁抗扰度
适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用的 NCV 前缀；符合 AEC - Q100 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合 RoHS 标准

应用领域

电机控制
不间断电源（UPS）
汽车应用
工业电源
太阳能逆变器
暖通空调（HVAC）

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(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

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近期成交1单

	属性	参数值
	上升时间(tr)	13ns
	下降时间(tf)	13ns
	传播延迟 tpLH	90ns
	传播延迟 tpHL	90ns
	静态电流(Iq)	2mA
	CMTI(kV/us)	100kV/us
	驱动侧工作电压	12.4V~30V