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NCV5705BDR2G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCV5705BDR2G

NCV5705BDR2G

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCV5705BDR2G
商品编号
C904652
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.11克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型IGBT
驱动通道数1
灌电流(IOL)6A
属性参数值
拉电流(IOH)4A
工作电压20V
上升时间(tr)9.2ns
下降时间(tf)7.9ns
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

NCV/NCD5705B是一款高电流、高性能的独立IGBT驱动器,适用于包括PTC加热器、牵引逆变器、高压DC-DC及其他辅助子系统在内的高功率汽车应用。该器件通过省去外部输出缓冲器,提供了一种经济高效的解决方案。器件的保护功能包括精确的欠压锁定(UVLO)、去饱和保护(DESAT)和有源开漏故障输出。该驱动器还具备精确的5.0 V输出。驱动器设计用于适应宽电压范围的偏置电源,包括单极性甚至双极性电压。NCV5705B采用8引脚SOIC封装。

商品特性

  • 在IGBT米勒平台电压下具有高电流输出(+4/-6 A)
  • 低输出阻抗,增强IGBT驱动能力
  • 短传播延迟且匹配精确
  • 可直接与数字隔离器/光耦合器/脉冲变压器连接实现隔离驱动,与非隔离驱动逻辑兼容
  • 带可编程延迟的DESAT保护
  • 严格的UVLO阈值,实现偏置灵活性
  • 宽偏置电压范围
  • 该器件无铅、无卤素且符合RoHS标准
  • 负输出电压,增强IGBT驱动能力

应用领域

  • PTC加热器
  • 牵引逆变器
  • 高压DC-DC
  • 车载充电机(OBC)

数据手册PDF

交货周期

订货125-127个工作日

购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 2500 个)
起订量:2500 个2500个/圆盘

总价金额:

0.00

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