NCV57080ADR2G

NCx57080y、NCx57081y 是高电流单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，具备 3.75 kVrms 的内部电流隔离，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。这些器件接受互补输入，并根据引脚配置，为系统设计提供便利选项，如有源米勒钳位（A 版本）、负电源（B 版本）以及独立的高低（OUTH 和 OUTL）驱动器输出（C 版本）。该驱动器可适应 3.3 V 至 20 V 的宽范围输入偏置电压和信号电平，采用窄体 SOIC - 8 封装。

• 高峰值输出电流（+6.5 A / -6.5 A）
• 低钳位电压降，无需负电源即可防止栅极误开启（A 版本）
• 短传播延迟且匹配精确
• 短路时对 IGBT/MOSFET 栅极进行钳位
• IGBT/MOSFET 栅极有源下拉
• 严格的欠压锁定（UVLO）阈值，实现偏置灵活性
• 宽偏置电压范围，包括负 VEE2（B 版本）
• 3.3 V、5 V 和 15 V 逻辑输入
• 3.75 kVRMS 隔离电压（I - O）（符合 UL1577 要求）
• 安全和法规认证：UL1577 认证，3750 VACRMS 持续 1 分钟；DIN VDE V 0884 - 11 认证待通过，870 VPK 工作绝缘电压
• 高瞬态抗扰度
• 高电磁抗扰度
• 适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用的 NCV 前缀；符合 AEC - Q100 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
• 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合 RoHS 标准

• 电机控制
• 不间断电源（UPS）
• 汽车应用
• 工业电源
• 太阳能逆变器
• 暖通空调（HVAC）