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NCD57200DR2G
半桥栅极驱动器
- 描述
- NCD57200是一款高压栅极驱动器，具备一个非隔离型低端栅极驱动器和一个电流隔离型高端或低端栅极驱动器。它能够以半桥配置直接驱动两个IGBT。隔离型高端驱动器可采用隔离电源供电，也可借助自举技术由低端电源供电
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCD57200DR2G
- 商品编号
- C904341
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2.3A | |
| 拉电流(IOH) | 1.9A | |
| 工作电压 | 20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 13ns | |
| 下降时间(tf) | 8ns | |
| 传播延迟 tpLH | 90ns | |
| 传播延迟 tpHL | 90ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 380uA |
商品概述
NCD57200是一款高压栅极驱动器，具备一个非隔离式低端栅极驱动器和一个电流隔离式高端或低端栅极驱动器。它能够以半桥配置直接驱动两个IGBT。隔离式高端驱动器可采用隔离电源供电，也可通过自举技术由低端电源供电。 高端栅极驱动器的电流隔离功能，确保了工作电压高达800 V、高dv/dt的IGBT在高功率应用中可靠开关。经过优化的输出级可降低IGBT损耗。其特性包括带死区时间和互锁功能的两个独立输入、精确的不对称欠压锁定（UVLO）以及短且匹配的传播延迟。NCD57200的VDD/VBS工作电压最高可达20 V。
商品特性
- 高峰值输出电流（+1.9 A / -2.3 A）
- 低输出电压降，增强IGBT导通性能
- 浮动通道，自举操作电压最高可达+800 ΔV
- 共模瞬态抗扰度（CMTI）最高可达100 kV/μs
- VS负摆幅至 -800 V时可靠运行
- VDD和VBS电源电压范围最高可达20 V
- 3.3 V、5 V和15 V逻辑输入
- 高端和低端不对称欠压锁定阈值
- 匹配传播延迟90 ns
- 内置20 ns最小脉冲宽度滤波器（或输入噪声滤波器）
- 内置340 ns死区时间以及高低端输入互锁
- 非反相输出信号
- 该器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准
应用领域
- 风扇、泵
- 家用电器
- 消费电子
- 通用半桥应用
交货周期
订货119-121个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 2500 个)个
起订量：2500 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单