温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NCP81075DR2G

描述: NCP81075 是一款高性能双 mosfet（高压侧和低压侧）门极驱动集成电路，适用于驱动在高达 180 V 的电压下运行的高速、高电压 MOSFET。NCP81075 集成了一个驱动器集成电路和一个自举二极管，驱动能力高达 4A。高压侧和低压侧驱动器独立控制，带有匹配的 3.5ns 典型传播延迟。此驱动器适用于高电压降压应用、隔离电源、 2 开关和有源箝位正向转换器。该器件还可用于太阳能优化器和太阳能逆变器应用。该零件采用 SO8，8 引脚 DFN 和 10 引脚 DFN 封装，在 -40C 至 140C 范围内进行完全规格确定。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NCP81075DR2G
商品编号: C904531
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.164克(g)

商品参数

参数完善中

商品概述

NCP81075是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，针对同步降压转换器中高侧和低侧功率MOSFET的栅极驱动进行了优化。NCP81075采用片上自举二极管，无需外部分立二极管。高悬浮顶部驱动器设计可承受高达180 V的自举电压。低侧和高侧独立控制，且导通和关断时间匹配至4 ns。高侧和低侧驱动器均具备独立欠压锁定功能，当驱动电压低于特定阈值时，将输出置为低电平。

商品特性

驱动高侧和低侧配置的两个N沟道MOSFET
悬浮顶部驱动器可承受高达180 V的自举电压
开关频率高达1 MHz
20 ns传播延迟时间
4 A灌电流、4 A拉电流输出
带1000 pF负载时，上升时间8 ns/下降时间7 ns
欠压锁定（UVLO）保护
工作温度范围为-40℃至140℃
提供SOIC−8 (D)、DFN8 (MN)、WDFN10 (MT)封装
这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

应用领域

电信和数据通信
隔离和非隔离电源架构
D类音频放大器
双开关和有源钳位正激转换器

数据手册PDF

放大查看下载PDF

交货周期

订货3-5个工作日

购买数量

(2500个/圆盘，最小起订量 10 个)

个

起订量：10 个2500个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交0单