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NVD5C464NLT4G
耐压:40V 电流:64A
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- 描述
- 特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 低QG和电容以最小化驱动损耗。 通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVD5C464NLT4G
- 商品编号
- C887736
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.428333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |