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NUP4201DR2G
单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：25A@8/20us
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- 描述
- NUP4201DR2 瞬变电压抑制器可为联接高速通信线路的设备提供防 ESD、EFT 和雷电保护。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NUP4201DR2G
- 商品编号
- C887719
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 25V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 25A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 500W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 6V | |
| 反向电流(Ir) | 10uA | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 5pF |
商品概述
NUP4201DR2浪涌保护器件旨在保护连接到高速通信线路的设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷击影响。全新的NUP4201DR2是一款低电容浪涌保护二极管阵列，用于保护通信系统、计算机及计算机外设等敏感电子设备，避免其因静电放电事件或瞬态过电压情况而损坏。因其电容较低，可用于高速I/O数据线。NUP4201DR2采用集成设计，在单个SO - 8封装中集成了具有浪涌额定值的低电容导向二极管和浪涌保护二极管。若出现瞬态情况，导向二极管会将瞬态电流引导至电源正极或接地。浪涌保护器件可保护电源线免受电压过高影响，避免损坏电源及任何下游组件。
商品特性
- SO - 8封装
- 峰值功率 - 500 W（8×20 μS）
- 静电放电额定值：IEC 61000 - 4 - 2（ESD）15 kV（空气）、8 kV（接触）；IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40 A（5 / 50 ns）；IEC 61000 - 4 - 5（雷击）25 A（8 / 20 μs）
- UL可燃性等级为94 V - 0
- 提供无铅封装
应用领域
- 高速通信线路保护
- USB电源和数据线保护
- 视频线路保护
- 基站
- HDSL、IDSL二次IC侧保护
- 微控制器输入保护
- 保护通信系统、计算机和计算机外设等敏感电子设备
- 高速I/O数据线