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NVD3055L170T4G-VF01
1个N沟道 耐压:60V 电流:9A
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- 描述
- 适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用的汽车级功率 MOSFET。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVD3055L170T4G-VF01
- 商品编号
- C887721
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@5.0V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 28.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 275pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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