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NUP4106DR2G实物图
  • NUP4106DR2G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NUP4106DR2G

NUP4106DR2G

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NUP4106DR2G
商品编号
C887718
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.215克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
反向截止电压(Vrwm)3.3V
钳位电压15V
峰值脉冲电流(Ipp)25A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)500W
击穿电压5V
属性参数值
反向电流(Ir)5uA
工作温度-55℃~+150℃
防护等级IEC 61000-4-2
类型TVS
Cj-结电容8pF

商品概述

NUP4106浪涌保护器件旨在保护连接到高速通信线路的设备免受静电放电(ESD)和雷击影响。NUP4106是一款低电容浪涌保护二极管阵列,用于保护通信系统、计算机及计算机外设等敏感电子设备,避免其因ESD事件或瞬态过电压情况而受损。因其电容较低,可用于高速I/O数据线。NUP4106采用一体化设计,在单个SO - 8封装中集成了具有浪涌额定值的低电容转向二极管和浪涌保护二极管。若出现瞬态情况,转向二极管会将瞬态电流引导至电源正轨或接地。该浪涌保护器件可保护电源线免受电压过压影响,避免损坏电源及其他下游组件。

商品特性

  • SO - 8封装
  • 峰值功率 - 500 W(8 x 20 μS)
  • ESD等级:IEC 61000 - 4 - 2(ESD)15 kV(空气)、8 kV(接触)
  • UL可燃性等级为94 V - 0
  • 这是一款无铅器件

应用领域

-高速通信线路保护-T1/E1二次保护-T3/E3二次保护-模拟视频保护-基站-I²C总线保护-通信系统-计算机-计算机外设-高速I/O数据线

数据手册PDF