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NTDV20N06T4G-VF01
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTDV20N06T4G-VF01
- 商品编号
- C887713
- 商品封装
- DPAK-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.462克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.88W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.015nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用了仙童半导体先进的功率沟槽工艺，具备坚固耐用的栅极设计，专为电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 更低的RDS(ON)
- 更低的 VDS(on)
- 更低的电容
- 更低的总栅极电荷
- 更低且更精确的 VSD
- 更低的二极管反向恢复时间
- 更低的反向恢复存储电荷
- 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用的 NTDV 前缀;符合 AEC - Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
-电源-转换器-动力电机控制-桥接电路
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