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NTMD6N02R2G
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 功率 MOSFET，6.0 ，20 V，N 沟道增强模式，双，SO?8 封装
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMD6N02R2G
- 商品编号
- C887715
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@16V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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