- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMS4937NR2G
1个N沟道 耐压:30V 电流:8.6A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMS4937NR2G
- 商品编号
- C887717
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 810mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.563nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
G1006LE采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 优化栅极电荷,以最小化开关损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,且符合 RoHS 标准
应用领域
-直流-直流转换器-负载点-功率负载开关-电机控制