NTMD6N03R2G
耐压:30V 电流:6A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMD6N03R2G
- 商品编号
- C887716
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.29W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 专为低压、高速开关应用设计
- 超低导通电阻,可提高效率并延长电池寿命
- 导通电阻RDS(on) = 0.024Ω,栅源电压VGS = 10V(典型值)
- 导通电阻RDS(on) = 0.030 Ω,栅源电压VGS = 4.5 V(典型值)
- 微型SOIC - 8表面贴装封装,节省电路板空间
- 二极管适用于桥式电路
- 二极管具有高速、软恢复特性
- AEC Q101认证 - NVMD6N03R2
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流转换器-计算机-打印机-移动电话和无绳电话-磁盘驱动器和磁带驱动器
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