NTD5C648NLT4G
1个N沟道 耐压:60V 电流:91A
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描述
功率 MOSFET,60V,91 A,4.1 mΩ,单 N 沟道,DPAK,逻辑电平
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
NTD5C648NLT4G商品编号
C887709商品封装
DPAK包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 91A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.1mΩ@10V,45A | |
功率(Pd) | 76W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 17nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.9nF@30V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 28pF@30V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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