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NTD360N80S3Z

1个N沟道耐压:800V 电流:13A

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描述: 800 V SUPERFET III MOSFET是安森美半导体的高性能MOSFET系列，提供800 V的击穿电压。全新的800 V SUPERFET III MOSFET针对反激式转换器的初级开关进行了优化，凭借其优化设计，在不牺牲EMI性能的前提下，可降低开关损耗和外壳温度。此外，内部齐纳二极管显著提高了ESD能力
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTD360N80S3Z
商品编号: C887706
商品封装: TO-252
包装方式: 编带
商品毛重: 0.42克(g)

商品参数

商品概述

800 V SUPERFET III MOSFET是安森美半导体的高性能MOSFET系列，提供800 V的击穿电压。全新的800 V SUPERFET III MOSFET针对反激式转换器的初级开关进行了优化，凭借其优化设计，在不牺牲EMI性能的前提下，可降低开关损耗和管壳温度。此外，内部齐纳二极管显著提高了ESD能力。这一全新的800 V SUPERFET III MOSFET系列在开关电源应用（如笔记本电脑适配器、音频、照明、ATX电源和工业电源）中表现卓越，能够实现更高效、更紧凑、更低温且更可靠的应用。

商品特性

典型RDS(on) = 300 mΩ
超低栅极电荷(典型Qg = 25.3 nC)
输出电容中的存储能量低(400 V时Eoss = 2.72 μJ)
100%雪崩测试
采用齐纳二极管提高ESD能力
符合RoHS标准

应用领域

-适配器/充电器-LED照明-辅助电源-音频-工业电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	800V
	连续漏极电流(Id)	13A
	导通电阻(RDS(on))	360mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	96W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.8V
	栅极电荷量(Qg)	25.3nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.143nF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃