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G4N60K
1个N沟道 耐压:600V 电流:4A
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- 描述
- 特性：600V，4A。 RDS(ON) = 2.0Ω（典型值），VGS = 10V。 快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力。 符合RoHS标准。应用：高频开关模式电源。 不间断电源（UPS）
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G4N60K
- 商品编号
- C840048
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 44.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 511pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 56.6pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：5 个2500个/圆盘
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