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TM25G04GD
N沟道+P沟道 40V 23A
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- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM25G04GD
- 商品编号
- C7570360
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A；25A | |
| 耗散功率(Pd) | 32.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V；2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.7nC；15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 815pF；668pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF；60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 98pF；95pF |
商品概述
- 低RDS(ON)-符合RoHS和无卤标准
商品特性
- N沟道:VDS = 40V,ID = 25A
- N沟道:在VGS = 10V时,RDS(ON) = 17mΩ(典型值)
- P沟道:VDS = -40V,ID = -23A
- P沟道:在VGS = -10V时,RDS(ON) = 35mΩ(典型值)
- 100%进行UIS测试
- 100%进行Rg测试
应用领域
-负载开关-脉宽调制(PWM)