TM12N06D
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 低RDS(ON),符合RoHS和无卤要求
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM12N06D
- 商品编号
- C7570364
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.35V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28pF |
