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TMN6012D
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 低RDS(ON)，符合RoHS和无卤标准
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TMN6012D
- 商品编号
- C7570374
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4086克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.35V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 100% 进行了栅极电阻（Rg）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 智能手机、平板电脑和移动计算设备等便携式设备
- 负载开关
- 直流-直流（DC/DC）转换器
- 电源管理
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