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TMN10010MSI
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 低导通电阻。符合RoHS标准且无卤素
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TMN10010MSI
- 商品编号
- C7570376
- 商品封装
- SOT-223-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1866克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.008nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 31pF |
商品概述
- 低RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤素
商品特性
- VDS = 60V，ID = 12A
- RDS(ON) = 58 mΩ（典型值）@ VGS = - 10V
- 100%经过UIS测试
- 100%经过Rg测试
应用领域
- 负载开关-脉冲宽度调制(PWM)
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