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TM3020DF
N+P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 低导通电阻。 符合RoHS和无卤标准
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM3020DF
- 商品编号
- C7570377
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07675克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A；20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V；25mΩ@-10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA；2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V；5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 416pF；930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF；115pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF；148pF |
商品概述
- 低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- N沟道
- P沟道
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 100%进行了栅极电阻（Rg）测试
- 绿色产品
- 封装形式：DFN3x3_8L
- 丝印：30G20
应用领域
- 负载开关-脉冲宽度调制(PWM)