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TMN10030D
N沟道增强型MOSFET
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- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TMN10030D
- 商品编号
- C7570369
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4123克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.42nF | |
| 输出电容(Coss) | 99pF |
商品概述
-低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
- 100%进行了栅极电阻(Rg)测试
应用领域
-负载开关-脉宽调制(PWM)