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TMN6003I
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 低RDS(ON)。RoHS和无卤合规
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TMN6003I
- 商品编号
- C7570368
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 511pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |