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TM20G03DF
N+P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：低导通电阻（RDS(ON)）。 符合RoHS和无卤标准
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM20G03DF
- 商品编号
- C7570367
- 商品封装
- PDFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.076克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A；20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V；25mΩ@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V；5nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 416pF；930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF；115pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF；148pF |
商品特性
- N沟道
- P沟道
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
- 100%进行了栅极电阻(Rg)测试
- 绿色产品
- 封装形式:DFN3x38L
- 丝印:30G20
应用领域
-负载开关-脉冲宽度调制(PWM)