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NCEP0160G-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP0160G-VB

1个N沟道 耐压:100V

描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N型场效应晶体管,采用Trench技术,适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域,为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。DFN8(5X6);N—Channel沟道,100V;65A;RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=3~5V;
商品型号
NCEP0160G-VB
商品编号
C7568900
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.265克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))10.3mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)70W
阈值电压(Vgs(th))4V
输入电容(Ciss)6.5nF@50V
反向传输电容(Crss)20pF@50V

商品特性

  • 沟槽功率MOSFET
  • 175 °C结温
  • 低热阻封装
  • 100%进行栅极电阻(Rg)测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 隔离式DC/DC转换器

数据手册PDF