NCEP0160G-VB
1个N沟道 耐压:100V
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单N型场效应晶体管,采用Trench技术,适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域,为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。DFN8(5X6);N—Channel沟道,100V;65A;RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=3~5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NCEP0160G-VB
- 商品编号
- C7568900
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@50V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175 °C结温
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 隔离式DC/DC转换器
相似推荐
其他推荐
- P1603BV-VB
- PSMN013-100BS-VB
- PSMN1R5-40PS-VB
- PSMN2R7-30PL-VB
- QM3004M6-VB
- QM3005M3-VB
- RCRH012SQ-VB
- RQA0009SXAQS-VB
- RQA0009TXDQS-VB
- SI3441BDV-T1-GE3-VB
- SI4190ADY-T1-GE3-VB
- SI4368DY-T1-E3-VB
- SI4470EY-T1-GE3-VB
- SI4900DY-T1-E3-VB
- SI4904DY-T1-E3&30V-VB
- SiA910EDJ-T1-GE3-VB
- SiA975DJ-T1-GE3-VB
- SM7340EHKP-VB
- SPB07N60C3-VB
- SPP15P10PL H-VB
- SPP20N60S5-VB
