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NCE1502R-VB

1个N沟道耐压:150V

描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，在小功率电源、消费类电子、医疗器械和LED照明等领域中广泛应用。SOT223；N—Channel沟道,150V；3A；RDS(ON)=283mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: NCE1502R-VB
商品编号: C7568899
商品封装: SOT-223
包装方式: 编带
商品毛重: 0.2克(g)

商品参数

(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个2500个/圆盘

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	类型	1个N沟道

	属性	参数值
	漏源电压(Vdss)	150V
	导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)	266mΩ@10V