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CGU06N65F2SA
停产 650V 12A
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- 描述
- CGU06N65F2SA采用杰斯卡（JSCJ）第二代IGBT技术，具备先进的沟槽和场截止（FS）结构，具有低集电极 - 发射极饱和电压、快速开关速度和低开关损耗的特点，易于并联使用。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CGU06N65F2SA
- 商品编号
- C7543666
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3985克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 12A | |
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 输出电容(Coes) | 21.5pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 15A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@5A,15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.8nC@15V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 23.1ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 96.8ns | |
| 导通损耗(Eon) | 90uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 68uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 110ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 7.68pF |