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ES3134K
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.25A
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- 描述
- 带ESD防护，N沟道，20V，1.25A，220mΩ@4.5V；应用领域：开关电路，继电器，驱动器，高速信号线驱动，低边开关等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ES3134K
- 商品编号
- C7527975
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V,0.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 710mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 350mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC | |
| 输入电容(Ciss) | 33pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@10V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
ES3134KR是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ES3134KR为无铅产品。
商品特性
- 20V，VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 200mΩ（典型值）
- VGS = 2.5V时，RDS(ON) = 290mΩ（典型值）
- VGS = 1.8V时，RDS(ON) = 480mΩ（典型值）
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换