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ES3134KZ
2个N沟道 耐压:20V 电流:880mA
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- 描述
- 带ESD防护，两个N沟道，20V，0.88A，220mΩ@4.5V,0.5A；应用领域：开关电路，继电器，驱动器，高速信号线驱动，低边开关等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ES3134KZ
- 商品编号
- C7527980
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028567克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 880mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 33pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
JMT N沟道增强型功率MOSFET
商品特性
- 20V,RDS(ON) = 250 mΩ(典型值)@ VGS = 4.5 V
- RDS(ON) = 320 mΩ(典型值)@ VGS = 2.5 V
- RDS(ON) = 450 mΩ(典型值)@ VGS = 1.8 V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计,实现低RDS(on)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换