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ES3139KQ
1个P沟道 耐压:20V 电流:500mA
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- 描述
- 带ESD防护，P沟道，-20V，0.5A，580mΩ@-4.5V；应用领域：开关电路，继电器，驱动器，高速信号线驱动，低边开关等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ES3139KQ
- 商品编号
- C7527986
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0296克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@4.5V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 350mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.25nC | |
| 输入电容(Ciss) | 71pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ES3139KQ是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ES3139KQ无铅。
商品特性
- -20V，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） = 610 mΩ（典型值），栅源电压（VGS） = -4.5 V
- 导通状态漏源电阻（RDS(ON)） = 885 mΩ（典型值），栅源电压（VGS） = -2.5 V
- 导通状态漏源电阻（RDS(ON)） = 1380 mΩ（典型值），栅源电压（VGS） = -1.8 V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低导通状态漏源电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换