温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI3139KE-TP-ES
1个P沟道 耐压:20V 电流:500mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 带ESD防护，P沟道，-20V，0.5A，580mΩ@-4.5V；应用领域：开关电路，继电器，驱动器，高速信号线驱动，低边开关等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- SI3139KE-TP-ES
- 商品编号
- C7528007
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 180mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 620mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 71pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- 20V,RDS(ON) = 580 mΩ(典型值),VGS = -4.5 V
- RDS(ON) = 855 mΩ(典型值),VGS = -2.5 V
- RDS(ON) = 1350 mΩ(典型值),VGS = -1.8 V
- 采用沟槽 MOSFET 技术
- 高密度单元设计,实现低导通电阻 RDS(on)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式 PC 的电源管理
- DC/DC 转换
相似推荐
其他推荐