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SI3134KLA-TP-ES实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI3134KLA-TP-ES

1个N沟道 耐压:20V 电流:700mA

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描述
带ESD防护,N沟道,20V,0.9A,125mΩ@4.5V;应用领域:开关电路,继电器,驱动器,高速信号线驱动,低边开关等。
品牌名称
ElecSuper(静芯)
商品型号
SI3134KLA-TP-ES
商品编号
C7528000
商品封装
DFN1006-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.00953克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)700mA
导通电阻(RDS(on))180mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)220mW
阈值电压(Vgs(th))750mV@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)1nC@4.5V
输入电容(Ciss)56pF
反向传输电容(Crss)2.5pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)20pF

商品概述

SI3134KLA-TP-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品SI3134KLA-TP-ES为无铅产品。

商品特性

  • 20V,栅源电压(VGS) = 4.5V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) = 180毫欧(典型值)
  • 栅源电压(VGS) = 2.5V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) = 260毫欧(典型值)
  • 栅源电压(VGS) = 1.8V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) = 415毫欧(典型值)
  • 高密度单元设计,实现低漏源导通电阻(RDS(on))
  • 材料:无卤素
  • 可靠耐用
  • 雪崩额定
  • 低泄漏电流

应用领域

-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换

数据手册PDF