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ES3139KE
1个P沟道 耐压:20V 电流:650mA
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- 描述
- 带ESD防护，P沟道，-20V，0.65A，580mΩ@-4.5V；应用领域：开关电路，继电器，驱动器，高速信号线驱动，低边开关等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ES3139KE
- 商品编号
- C7527987
- 商品封装
- DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.00957克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 650mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 620mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 71pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
ES3134K是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ES3134K为无铅产品。
商品特性
- 20V，RDS(ON) = 220 mΩ（典型值）@VGS = 4.5V
- RDS(ON) = 290mΩ（典型值）@VGS = 2.5V
- RDS(ON) = 420mΩ（典型值）@VGS = 1.8V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换