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ES3139KZ
1个P沟道 耐压:20V 电流:500mA
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- 描述
- 带ESD防护，P沟道，-20V，0.5A，580mΩ@-4.5V；应用领域：开关电路，继电器，驱动器，高速信号线驱动，低边开关等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ES3139KZ
- 商品编号
- C7527988
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 610mΩ@4.5V；1.38Ω@1.8V；885mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 620mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 71pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- -20V,导通电阻(RDS(ON))= 610 mΩ(典型值),栅源电压(VGS)= -4.5 V
- 导通电阻(RDS(ON))= 885 mΩ(典型值),栅源电压(VGS)= -2.5 V
- 导通电阻(RDS(ON))= 1380 mΩ(典型值),栅源电压(VGS)= -1.8 V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计,实现低导通电阻(RDS(ON))
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低漏电流
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC转换