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ES3134KQ
1个N沟道 耐压:20V 电流:880mA
- 描述
- 带ESD防护，N沟道，20V，0.88A，220mΩ@4.5V；应用领域：开关电路，继电器，驱动器，高速信号线驱动，低边开关等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ES3134KQ
- 商品编号
- C7527978
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 880mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 33pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
ES3134KQ 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 ES3134KQ 为无铅产品。
商品特性
- 20V，栅源电压（VGS）= 4.5V 时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)）= 220mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS）= 2.5V 时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)）= 290mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS）= 1.8V 时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)）= 420mΩ（典型值）
- 采用沟槽 MOSFET 技术
- 高密度单元设计，实现低导通状态漏源电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式 PC 的电源管理
- DC/DC 转换