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ES3134KE
1个N沟道 耐压:20V 电流:700mA
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- 描述
- 带ESD防护，N沟道，20V，0.7A，220mΩ@4.5V；应用领域：开关电路，继电器，驱动器，高速信号线驱动，低边开关等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ES3134KE
- 商品编号
- C7527979
- 商品封装
- DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.00953克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 220mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 56pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
D5N50是一款高压功率MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
商品特性
- 20V,VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 180 mΩ(典型值)
- VGS = 2.5V时,RDS(ON) = 260 mΩ(典型值)
- VGS = 1.8V时,RDS(ON) = 415 mΩ(典型值)
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换