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FDD5353(UMW)实物图
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  • 焊盘图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

FDD5353(UMW)

N沟道 耐压:60V 电流:50A

品牌名称
UMW(友台半导体)
商品型号
FDD5353(UMW)
商品编号
C7503181
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.45644克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V；12mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)69W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)46nC@10V
输入电容(Ciss)2.42nF
反向传输电容(Crss)120pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)215pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

这款N沟道MOSFET采用专门优化的工艺制造，旨在最小化导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

商品特性

  • 漏源击穿电压(VDSS) = 60V
  • 连续漏极电流(ID) = 50A
  • 导通电阻(RDS(ON)) < 12.3 mΩ (栅源电压(VGS) = 10V)
  • 导通电阻(RDS(ON)) < 15.4 mΩ (栅源电压(VGS) = 4.5V)
  • 符合RoHS标准
  • 初级开关

应用领域

  • 逆变器
  • 同步整流器

数据手册PDF

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