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IRF9389TR(UMW)
耐压:30V 电流:6.8A
- 描述
- 特性：N沟道：VDS(V) = 30V，ID = 6.8A(VGS = 10V)，RDS(ON)< 27mΩ(VGS = 10V)。 P沟道：VDS(V) = -30V，ID = -4.6A(VGS = -10V)，RDS(ON)< 64mΩ(VGS = -10V)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRF9389TR(UMW)
- 商品编号
- C7503192
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1879克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 398pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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