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FQD7N10LTM(UMW)
N沟道 耐压:100V 电流:5.8A
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- 描述
- N-Channel增强型功率MOSFET采用平面条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FQD7N10LTM(UMW)
- 商品编号
- C7503183
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44824克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 275mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |