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FQD7N10LTM(UMW)

N沟道耐压:100V 电流:5.8A

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描述: N-Channel增强型功率MOSFET采用平面条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
品牌名称: UMW(友台半导体)
商品型号: FQD7N10LTM(UMW)
商品编号: C7503183
商品封装: TO-252
包装方式: 编带
商品毛重: 0.44824克(g)

商品参数

这款N沟道增强型功率MOSFET采用平面条状和DMOS技术。该先进的MOSFET技术经过专门优化，旨在降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量承受能力。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。