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FDS4435BZ(UMW)
耐压:30V 电流:8.8A
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- 描述
- 特性：适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。 VDS(V) = -30V。 ID = -8.8A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 20mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 35mΩ (VGS = -4.5V)。应用：笔记本电脑。 便携式电池组
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDS4435BZ(UMW)
- 商品编号
- C7503191
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.189667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.385nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 275pF |
商品特性
- 漏源电压 V_DS = -30V
- 漏极电流 I_D = -8.8A
- 导通电阻 R_DS(ON) < 20mΩ (栅源电压 V_GS = -10V)
- 导通电阻 R_DS(ON) < 35mΩ (栅源电压 V_GS = -4.5V)
- IRF9389TR(UMW)
- FDS8958A(UMW)
- FQP27P06(UMW)
- IRF5305PBF(UMW)
- SG3524DR(UMW)
- 5032-8.00-12-10-102PB
- 5032-8.00-8-10-102PB
- MAX30001GCWV+
- AVR64EA48-I/PT
- B2415M-2WR3
- MURS3JB-TP
- TPR3520-S3TR
- WYD2H392ME4S620000
- WYD2H472ME4S620000
- WYE2F101KB4S520000
- WYE2F221KB4S520000
- WYE2F331KB4S520000
- WYE2F471KB4S520000
- WYE2F681KB4S520000
- WYE2F102KB4S520000
- WYE2F102ME4S520000