温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMS4177PR(UMW)
耐压:30V 电流:8.9A
- 描述
- 特性：VDS(V) = -30V。 ID = -11.4A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 12mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 19mΩ (VGS = -4.5V)。 低RDS(ON)以最小化传导损耗。 低电容以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷以最小化开关损耗。 SOP-8表面贴装封装节省电路板空间
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- NTMS4177PR(UMW)
- 商品编号
- C7503188
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.204733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
商品特性
- V_DS(V) = -30V
- I_D = -11.4A
- R_DS(ON) < 12mΩ (V_GS = -10V)
- R_DS(ON) < 19mΩ (V_GS = -4.5V)
- 低导通电阻以最小化传导损耗
- 低电容以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷以最小化开关损耗
- SOP-8表面贴装封装节省电路板空间
- FDS6675(UMW)
- SI4435DY(UMW)
- FDS4435BZ(UMW)
- IRF9389TR(UMW)
- FDS8958A(UMW)
- FQP27P06(UMW)
- IRF5305PBF(UMW)
- SG3524DR(UMW)
- 5032-8.00-12-10-102PB
- 5032-8.00-8-10-102PB
- MAX30001GCWV+
- AVR64EA48-I/PT
- B2415M-2WR3
- MURS3JB-TP
- TPR3520-S3TR
- WYD2H392ME4S620000
- WYD2H472ME4S620000
- WYE2F101KB4S520000
- WYE2F221KB4S520000
- WYE2F331KB4S520000
- WYE2F471KB4S520000