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SI4435DY(UMW)
耐压:30V 电流:8A
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- 描述
- 特性：采用定制框架进行了修改，具有增强的热特性和多芯片能力，适用于各种功率应用。 可在应用中使用多个器件，显著减少电路板空间。 该封装设计用于气相、红外或波峰焊接技术
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- SI4435DY(UMW)
- 商品编号
- C7503190
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.183333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品概述
该SOP-8封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片能力，使其成为各种功率应用的理想选择。通过这些改进，可以在应用中采用多个器件，同时显著减少电路板占用空间。该封装设计适用于气相、红外或波峰焊接技术。
商品特性
- VDS(V) = -30V
- ID = -8A
- RDS(ON) < 20mΩ (VGS = -10V)
- RDS(ON) < 35mΩ (VGS = -4.5V)
- FDS4435BZ(UMW)
- IRF9389TR(UMW)
- FDS8958A(UMW)
- FQP27P06(UMW)
- IRF5305PBF(UMW)
- SG3524DR(UMW)
- 5032-8.00-12-10-102PB
- 5032-8.00-8-10-102PB
- MAX30001GCWV+
- AVR64EA48-I/PT
- B2415M-2WR3
- MURS3JB-TP
- TPR3520-S3TR
- WYD2H392ME4S620000
- WYD2H472ME4S620000
- WYE2F101KB4S520000
- WYE2F221KB4S520000
- WYE2F331KB4S520000
- WYE2F471KB4S520000
- WYE2F681KB4S520000
- WYE2F102KB4S520000