FDD1600N10ALZ(UMW)
N沟道 耐压:100V 电流:6.8A
- 描述
- 特性:采用先进工艺生产,可最大限度降低导通电阻并保持出色的开关性能。 漏源电压(VDS):100V。 导通电阻(RDS(ON)):当栅源电压(VGS)为10V时为124mΩ;当栅源电压(VGS)为5V时为175mΩ。 低栅极电荷:典型值为2.78nC。 快速开关。 改善的dv/dt能力。 符合RoHS标准
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDD1600N10ALZ(UMW)
- 商品编号
- C7503184
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44824克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 124mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 14.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 169pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 43pF |
商品特性
- 低栅极电荷(典型值2.78 nC)
- 快速开关
- V_DS(V) = 100V
- R_DS(ON) = 124 mΩ (V_GS = 10V)
- R_DS(ON) = 175 mΩ (V_GS = 5V)
- 改进的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
- HUF76609D3(UMW)
- SUD50P06-15(UMW)
- IRF9328TR(UMW)
- NTMS4177PR(UMW)
- FDS6675(UMW)
- SI4435DY(UMW)
- FDS4435BZ(UMW)
- IRF9389TR(UMW)
- FDS8958A(UMW)
- FQP27P06(UMW)
- IRF5305PBF(UMW)
- SG3524DR(UMW)
- 5032-8.00-12-10-102PB
- 5032-8.00-8-10-102PB
- MAX30001GCWV+
- AVR64EA48-I/PT
- B2415M-2WR3
- MURS3JB-TP
- TPR3520-S3TR
- WYD2H392ME4S620000
- WYD2H472ME4S620000


