温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDD1600N10ALZ(UMW)
N沟道 耐压:100V 电流:6.8A
- 描述
- 特性：采用先进工艺生产，可最大限度降低导通电阻并保持出色的开关性能。 漏源电压（VDS）：100V。 导通电阻（RDS(ON)）：当栅源电压（VGS）为10V时为124mΩ；当栅源电压（VGS）为5V时为175mΩ。 低栅极电荷：典型值为2.78nC。 快速开关。 改善的dv/dt能力。 符合RoHS标准
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDD1600N10ALZ(UMW)
- 商品编号
- C7503184
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44824克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 124mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 14.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 169pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 43pF |