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CMB80N70
1个N沟道 耐压:68V 电流:80A
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- 描述
- 80N70 是 N 沟道 MOSFET，其专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，该器件适用于先进的高效开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB80N70
- 商品编号
- C7501159
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.641克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
40P30是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40P30符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有可承受雪崩能量（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 低栅极电荷
- 100%雪崩额定值
- 低导通电阻
应用领域
-电机控制-直流-直流转换器-开关应用