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M3SWA-2-50DRA+
高速高隔离射频开关
- 描述
- M3SWA-2-50DRA+是一款高隔离快速切换吸收型SPDT开关，集成了CMOS驱动器，可在单正电源电压下工作，同时消耗50μA的典型电流。它设计用于宽带操作，封装在一个小巧的3.25mmx3.25mm、8引脚封装中，通过250VESD(HBM)测试。
- 品牌名称
- Mini-Circuits
- 商品型号
- M3SWA-2-50DRA+
- 商品编号
- C7501178
- 商品封装
- SMD
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 单刀双掷 | |
| 频率 | 10MHz~4.5GHz | |
| 隔离度 | 52dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 0.8dB | |
| 工作电压 | 3V~5V | |
| 工作温度 | -55℃~+100℃ |
商品概述
一款高隔离、快速切换的吸收式单刀双掷（SPDT）开关，集成CMOS驱动器，采用单正电源电压供电，典型电流消耗为50 μA。该开关专为宽带操作而设计，采用3.25mm x 3.25mm的8引脚小型封装，静电放电（HBM）耐受电压达250V。
商品特性
- 高隔离度，1 GHz时为52 dB
- 低插入损耗，1 GHz时典型值为0.8 dB
- 低电源电流消耗，典型值为50 μA
- 快速上升/下降时间，典型值为16 ns
应用领域
- 通信基础设施
- 测试与测量
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
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