CMP13N45
1个N沟道 耐压:450V 电流:13A
- 描述
- 13N45采用先进的平面条形DMOS技术,可提供出色的RDS(ON)和卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP13N45
- 商品编号
- C7501165
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6415克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 460mΩ | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
5943采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- P沟道
- 低导通电阻
- 快速开关
- 100%雪崩测试
应用领域
- 逆变器
- 电机驱动
- 直流/直流转换器
