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CMP13N45实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMP13N45

1个N沟道 耐压:450V 电流:13A

描述
13N45采用先进的平面条形DMOS技术,可提供出色的RDS(ON)和卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品型号
CMP13N45
商品编号
C7501165
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.6415克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)450V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))460mΩ
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)16nC
输入电容(Ciss)1.6nF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)130pF

商品概述

5943采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • P沟道
  • 低导通电阻
  • 快速开关
  • 100%雪崩测试

应用领域

  • 逆变器
  • 电机驱动
  • 直流/直流转换器

数据手册PDF