CSWA2-63DR+
50Ω高隔离度吸收型SPDT射频开关
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- 描述
- CSWA2-63DR+是一款50Ω高隔离度吸收型SPDT射频开关,适用于无线通信应用,覆盖500至6000MHz的宽带频率范围,具有低插入损耗。该开关在非吸收模式下也可使用,工作电压范围为+3V至+5V。内部包含CMOS驱动器,采用低剖面密封小型封装,尺寸为4mmx4mmx1.2mm。预期MTBF为373年,可在振动、加速度、机械冲击和HTOL条件下进行测试。
- 品牌名称
- Mini-Circuits
- 商品型号
- CSWA2-63DR+
- 商品编号
- C7501186
- 商品封装
- SMD
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 单刀双掷 | |
| 频率 | 500MHz~6GHz | |
| 隔离度 | 65dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 1dB | |
| P1dB | 30dBm | |
| 工作电压 | 3V~5V | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
商品概述
一款50Ω高隔离、吸收式单刀双掷(SPDT)射频开关,专为无线应用设计,覆盖500至6000 MHz的宽频率范围,插入损耗低。在非吸收模式下,该开关可低至0.3 MHz使用。它也可在0.3 - 3000 MHz的75Ω系统中使用。该开关采用+3V至+5V的单电源电压工作。该器件包含一个内部CMOS驱动器。开关采用低矮密封的超小尺寸封装,尺寸为4mm×4mm×1.2mm。在85℃外壳温度下,预计平均无故障工作时间(MTBF)为373年。
商品特性
- 宽带宽,500至6000 MHz
- 高隔离度,在1 GHz时典型值为65 dB
- 低插入损耗,典型值为1.0 dB
- 内部CMOS驱动器
- 快速切换,上升/下降时间典型值为30 ns
- 坚固耐用,适用于恶劣环境
- 密封封装
- 宽工作温度范围,-55℃至125℃
应用领域
- 自动切换网络
- 蜂窝通信
- 个人通信网(PCN)
- 工业、科学和医疗(ISM)频段、宽带码分多址(WCDMA)、全球微波互联接入(WiMAX)
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1000个/圆盘
总价金额:
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