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CMSA085N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
- 描述
- CMSA085N06采用先进技术，可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并将电源转换应用的损耗降至最低。该器件适用于作为开关电源（SMPS）、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管（FET）。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA085N06
- 商品编号
- C7501167
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1435克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.1mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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