温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMU25N20A
1个N沟道 耐压:200V 电流:20A
- 描述
- 这些MOSFET采用先进的制造工艺，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再加上快速的开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效、可靠的器件，可广泛应用于各种领域。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU25N20A
- 商品编号
- C7501171
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.576563克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@100V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@100V |
商品特性
- 漏源电压（V） = 55 V
- 漏极电流 = 30 A（栅源电压 = 10 V）
- 导通电阻 < 14 mΩ（栅源电压 = 10 V）
- 先进工艺技术
- 超低导通电阻
- 工作温度达175°C
- 快速开关