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CMSC085N06实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMSC085N06

1个N沟道 耐压:60V 电流:30A

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描述
CMSC085N06采用先进技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并将功率转换应用的损耗降至最低。该器件适合用作开关电源(SMPS)、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管(FET)。
商品型号
CMSC085N06
商品编号
C7501168
商品封装
DFN-8(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.0735克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))9.2mΩ
耗散功率(Pd)40W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)10nC@10V
输入电容(Ciss)1.3nF
反向传输电容(Crss)35pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CMSA028N06采用先进技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并将功率转换应用的损耗降至最低。该器件适合用作开关电源(SMPS)、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管(FET)。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 100%雪崩测试
  • 驱动要求简单
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 开关电源(SMPS)中的同步整流
  • ATX和游戏电源
  • 开关应用

数据手册PDF